银川市图书馆

日本科学技术振兴事业团最近开发出由镓、砷、锰三种元素组成的磁性半导体材料。砷化镓是生产高速晶体管和激光材料的半导体杠料，锰具有磁盘表面所需的磁性。试制这种新材料的主要方法是：在真空状态中的砷化镓基板上，在低温环境中将上述三种材料堆积成薄膜状的结晶，然后将这种结晶体冷却到零下170摄氏度便可产生磁性半导体材料。研究人员认为，磁性半导体材料可用于生产同时拥有记忆和演算机能的新元件，现有的材料都难以做到这一点。