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据新华社北京1月11日电黄昆,1919年9月出生于北京，1941年毕业于燕京大学物理系。
  1945年赴英国留学,1948年获英国布里斯托（Bristol）大学哲学博士学位,1951—1977年在北京大学物理系任教授，并于1959年加入中国共产党,1977——1983年任中国科学院半导体研究所所长。1987—1991年曾任中国物理学会理事长。1955年选为中国科学院学部委员（院士）。 黄昆是世界著名的物理学家，他对固体物理学做出了许多开拓性的重大贡献，是我国固体物理学和半导体物理学的奠基人之一。他从理论上预言了与晶格中杂质有关的X光漫散射，以后被称为“黄散射”。这个理论在20世纪60年代获实验证实，“黄散射”已发展成为一种能直接研究固体中微观缺陷的有效手段。他的多声子跃迁理论，以“黄——里斯因子”而著称于世。他提出关于描述晶体中光学位移、宏观电场与电极化三者关系的“黄方程”和由此引伸的电磁波与晶格振动的耦合，即后来称为极化激元的重要概念。他与M.Bom合著的《晶格动力学理论》一书，是一部有世界影响的经典性科学专著。 半个世纪以来，他不仅对固体物理做出了重要贡献，同时还对高等学校中普通物理、固体物理和半导体物理的教学做出了十分重要的贡献。黄昆是我国半导体科技界的一代宗师，培养了一批又一批国家科技栋梁之才。
  2002年为表彰黄昆院士在固体物理学领域的杰出成就和贡献，黄昆院士荣获2001年度国家最高科学技术奖。2005年7月6日，黄昆院士病逝。