陈高庭

知识类型: 人物
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知识出处: 《前陈村志》
唯一号: 112430020220000436
人物姓名: 陈高庭
文件路径: 1124/01/object/PDF/112410020220000009/001
起始页: 0169.pdf
性别:
时代: 当代
出生年: 1942年

传略

陈高庭(1942年生),高级工程师,浙江大学无线电工程系半导体专业毕业,分配到中国科学院上海光学精密机械研究所工作至今。主要从事半导体光电器件的研究和开发。先后研制成功砷化镓单异质结激光器,双异质结激光器、锢镓砷磷1.3微米、1.55微米分布反馈激光器、大光学腔大功率激光器等。获得8项科技成果,其中国家科技进步二等奖1项,中科院科技进步一等奖1项,上海市重大科技成果二等奖1项,对我国的半导体激光研究事业和光纤通信事业的进步做出了突出贡献,荣获国务院颁发的终身政府特殊津贴,并被收录在多种名人书藉,曾到苏联(解体前)莫斯科、圣彼得堡的研究所短期工作,取得成果,受到国务院智力引进办公室表扬。

知识出处

前陈村志

《前陈村志》

本志采用条目式分类编排。除序、大事记、小溪田简介、跋外,设地理、村庄、村民、组织、农业、林果业、索面、工业、商业、教育、卫生、文化、民俗、人物、俗文学和丛录16个类目,类目下设若干细目。志末设村民世系和直传。

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