株洲市图书馆 大功率半导体器件
| 内容出处： | 《株洲年鉴 2010》 图书 |
| 唯一号： | 180521020210002104 |
| 图表名称： | 大功率半导体器件 |
| 起始页： | 0227.pdf |
| 结束页： | 0227.pdf |
| 图表类型： | 照片 |
| 分类号： | U26 |
| 关键词： | 株洲市 大功率 半导体器件 |
内容
大功率半导体器件·双极器件（含晶闸管、整流管、GTO、IGCT等）·绝缘栅双极晶体管（IGBT）●功率组件2006年，成功研制出世界上第一只6英寸4500A/8000V高压届闸管，并已在特高压直流输电工程，IGCT技术达到国际领先水平；IGBT技术填补国内空白。
知识出处
《株洲年鉴 2010》
出版者：方志出版社
本书记录了2009年度株洲市政治、经济、文化和社会生活等方面的基本情况及重大事件，设有特载、重大事件纪要、大事记、综述、中国共产党株洲市委员会、株洲市人大常委会、株洲市人民政府等栏目。
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