3D0V型VMOS场效应高频功率晶体管的研制

知识类型: 专题
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知识出处: 《济南科技志》
唯一号: 150134020220000128
专题名称: 3D0V型VMOS场效应高频功率晶体管的研制
文件路径: 1501/01/object/PDF/150110020220000001/001
起始页: 0111.pdf
专题类型: 其他

专题描述

3D0V型VMOS场效应高频功率晶体管的研制 研究单位:山东大学 主要研究人员:刘可辛、罗升旭、苗庆海 VMOS功率晶体管是70年代后期发展起来的新型器件,具有工作频率高、热稳定性好、输入阻抗高等特点。山东大学研制的3DOV型VMOS高频功率管,具有工作频率高、频率特性好、动态范围大、栅耐压高等特点,其主要性能居国内领先地位。填补了部波段微波大功率VMOS功率晶体管的空白,在高频性能方面与美国Siliconix公司的VMP4管相类同,并得到了广泛应用。

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济南科技志

《济南科技志》

本书《济南科技志》是以辩证唯物主义和历史唯物主义为指导,以党的十一届三中全会以来的路线、方针、政策为准绳,以为“两个文明”建设服务为宗旨,以实事求是、略古详今、坚持“四新”(新观点、新材料、新方法、新体例)为原则,以济南古代、近代、现代科学与技术的不同特点和功能为依据,分门别类地记述了科学技术在济南的发展历史与现状。

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